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基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法及其应用

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摘要

本发明提供了一种基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法，其包括步骤：S1、将斜切角大于0.2°的大斜切角蓝宝石衬底置于外延生长装置中，在大斜切角蓝宝石衬底上依次叠层生长成核层、非故意掺杂GaN层和第一层n型GaN；S2、向外延生长装置中通入NH

1. 基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法及其应用 [P] . 中国专利： CN108511323A . 2018-09-07
2. 一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用 [P] . 中国专利： CN109841497A . 2019-06-04
3. Pendeoepitaxial growth of gallium nitride layers on sapphire substrates [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2302665A1 . 2011-03-30

机译：蓝宝石衬底上氮化镓层的五外延生长
4. Pendeoepitaxial growth of gallium nitride layers on sapphire substrates [P] . AU7992900A . 2001-05-30

机译：蓝宝石衬底上氮化镓层的五外延生长
5. Forming indium gallium nitride comprises providing a layer of gallium nitride within a chamber, and epitaxially growing a layer of indium gallium nitride on a surface of the layer of gallium nitride [P] . 法国专利： FR2972731A1 . 2012-09-21

机译：形成氮化铟镓包括在腔室内提供氮化镓层，以及在氮化镓层的表面上外延生长氮化铟镓层。