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韩培德; 段晓峰; 孙家龙; 张泽; 王占国;
中国科学院半导体研究所;
半导体材料科学实验室;
中国科学院凝聚态物理中心;
北京电子显微镜实验室;
天津市半导体技术研究所;
天津市理化分析中心;
蓝宝石; 衬底; 氮化镓; 微观结构; 薄膜;
机译:(0001)蓝宝石衬底上生长的五方氮化镓薄膜的偏振拉曼光谱结构和微力学分析
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:用于光电化学水分裂应用的蓝宝石衬底上沉积在氮化镓薄膜的制造与表征
机译:用于在蓝宝石衬底生长氮化镓中氮化镓耦合器制造的全息光刻
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长
机译:在蓝宝石衬底上生长氮化镓的方法包括在氨和氯化氢气体存在下使用氮气作为保护气体的反应器中,在衬底上生长氮化镓,并进一步处理
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:在c面蓝宝石衬底上生长的III-V氮化物中的刻面切割方法
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