公开/公告号CN103255389A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201310145404.5
申请日2013-04-24
分类号C23C16/34(20060101);C30B25/18(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人王朋飞
地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
入库时间 2024-02-19 19:24:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/34 申请公布日:20130821 申请日:20130424
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20130424
实质审查的生效
2013-08-21
公开
公开
机译: 在具有金刚石晶体结构的衬底和III族氮化物半导体上异质外延生长III族金属表面极性的III族氮化物的方法
机译: 制造III族氮化物膜的方法,用于外延生长的衬底,III族氮化物膜,用于III族氮化物元素的外延生长衬底和III族氮化物元素
机译: 制造III族氮化物膜的方法,用于外延生长的衬底,III族氮化物膜,用于III族氮化物元素的外延生长衬底和III族氮化物元素