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镶嵌腐蚀方法中各向异性氮化物的腐蚀工艺

摘要

一种在多层结构的氮化硅层中各向异性地腐蚀沟槽的工艺和腐蚀剂气体组分。此腐蚀剂气体组分具有包括聚合剂、氢源、氧化剂和稀有气体稀释剂的腐蚀气体。氧化剂最好包括含碳的氧化剂组分和氧化剂-稀有气体组分。控制等离子体的方向性的电源与用来激活腐蚀剂气体的电源隔离。在制造金属氧化物半导体场效应晶体管的工艺中的氮化物腐蚀步骤中,可以使用此腐蚀剂气体。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-06-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F7/004 授权公告日:20060906 终止日期:20100412 申请日:20000412

    专利权的终止

  • 2006-09-06

    授权

    授权

  • 2000-11-01

    公开

    公开

  • 2000-09-06

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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