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张庆鑫; 刘理天; 李志坚;
清华大学微电子学研究所;
硅; 氢化钾溶液; 腐蚀; 凸角补偿;
机译:在(100)硅晶片上进行各向异性KOH蚀刻的凸角补偿的简单方法
机译:各向异性KOH刻蚀Si- {100}凸角底切的新模型
机译:碱性溶液中的硅各向异性蚀刻III:关于在KOH和KOH加IPA溶液中Si(100)各向异性蚀刻过程中形成空间结构的可能性
机译:KOH水溶液中(100)Si各向异性湿法腐蚀中凸角补偿的研究
机译:使用路径规划,动态凸角误差补偿和结构振动控制来提高CMM吞吐量。
机译:KOH溶液中Si的一步各向异性湿法腐蚀制备的两层微结构
机译:在KOH水溶液中各向异性溶解期间,在si(100)表面上的表面终止和氢气泡粘附
机译:si(100)-2 X 1表面氢原子的各向异性扩散
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:在GD2O3(100)/ N-SI(100)之间的界面处增强了电子迁移率
机译:在Gd 2 Sub> O 3 Sub>(100)/ N-Si(100)之间的界面处增强的电子迁移率
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