一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法，其中晶圆级芯片结构，包括：硅通孔，所述硅通孔位于晶圆的第一表面至第二表面的预设距离；晶圆的第一表面包括：有源区、多层再分布线层以及凸点；所述晶圆的第二表面包括：凸点下金属化层及凹形绝缘介质层，所述凹形绝缘介质层的凹形结构数量与所述硅通孔的数量一致，且所述凹形绝缘介质层的底部被所述硅通孔的底部隔断，所述凸点下金属化层填充所述凹形绝缘介质层内与所述硅通孔电连接。本申请提供的实施例对TSV盲孔刻蚀片内深度均匀性不敏感，避免了现有技术中的超高选择比Si/SiOx干法刻蚀及铜原子扩散等对有源区的影响。