一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法，其中晶圆级芯片结构，包括：贯穿晶圆的硅通孔，其第一表面包括：有源区、多层再分布线层以及凸点，其第二表面包括：绝缘介质层，以及与硅通孔相连接的锥台过渡结构。本发明实施例在晶圆背面TSV露头区域与UBM之间引入锥台型阻抗过渡结构，使TSV与UBM之间实现阻抗匹配，改善了因阻抗突变引起的信号畸变问题，和传统方案相比，为了实现本方案的锥台型过渡结构，并未增加光罩数量，而仅在原有工艺基础上，增加一步光刻工艺以及一步反应离子刻蚀工艺，工艺流程并不复杂。