公开/公告号CN111524799A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;
申请/专利号CN202010248415.6
申请日2020-04-01
分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人黎伟
地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
入库时间 2023-12-17 11:32:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
公开
公开
机译: 确定穿过薄栅氧化膜的隧道中有效栅氧化层厚度和临界栅氧化层厚度的方法
机译: 具有HV输入级的集成电路-在具有绝缘栅电极的衬底上具有开关MOSFET,绝缘栅电极的栅氧化层的厚度与场氧化层的厚度相同
机译: 制造防止双栅氧化层中厚栅氧化层变薄的半导体器件的方法