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台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层

摘要

本申请公开了一种台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层,方法包括:在衬底上形成氧化层;在氧化层上形成至少两层介质层,对于至少两层介质层中的任一相邻的两层介质层,上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率;在至少两层介质层最上层的介质层上形成硬掩模层;对目标区域的硬掩模层进行去除;通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除;去除剩余的硬掩模层。本申请通过在衬底上形成氧化层后,在氧化层上方依次形成至少两层介质层,通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除,从而形成台阶栅氧化层,由于至少两层介质层中任一相邻的两层介质层中上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率,因此减少了钻蚀效应。

著录项

  • 公开/公告号CN111524799A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202010248415.6

  • 发明设计人 来豪杰;陈瑜;陈华伦;

    申请日2020-04-01

  • 分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人黎伟

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2023-12-17 11:32:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    公开

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