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重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及重布线层

摘要

本发明提供了一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构,首先在基底上形成第二介质层,再在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构,接着形成重布线层,所述重布线层覆盖部分所述第二介质层和所述多通孔结构中各通孔的内壁。由于在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构,所述多通孔结构可以减弱所述多通孔结构内的介质层对重布线层的应力,进而避免了重布线开路,提高了封装的质量,使芯片的良率和可靠性进一步提升。

著录项

  • 公开/公告号CN110767559A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810836291.6

  • 发明设计人 殷原梓;

    申请日2018-07-26

  • 分类号H01L21/60(20060101);H01L23/488(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20180726

    实质审查的生效

  • 2020-02-07

    公开

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