SOI晶圆和其制造方法以及MEMS器件

摘要

本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)。