晶体管结构、浅沟槽隔离结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种晶体管结构、浅沟槽隔离结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：提供基板，基板上定义有高电压元件区域；利用第一蚀刻工艺于高电压元件区域中制作出预处理浅沟槽；利用第二蚀刻工艺将高电压元件区域中的预处理浅沟槽继续蚀刻成第一浅沟槽；以及于第一浅沟槽中填入介电材料而形成第一浅沟槽隔离结构。