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Design, fabrication and characterization of complementary heterojunction field effect transistors

机译：互补异质结场效应晶体管的设计，制造和表征

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Graduation date: 1995

机译：毕业日期：1995

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年度 1994
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Deep cryogenic noise and electrical characterization of the complementary heterojunction field-effect transistor (CHFET) [J] . Cunningham T.J., Gee R.C. IEEE Transactions on Electron Devices . 1994,第6期

机译：互补异质结场效应晶体管（CHFET）的深低温噪声和电特性
2. Fabrication and characterization of air-stable, ambipolar heterojunction-based organic light-emitting field-effect transistors [J] . Hoon-Seok Seo, Ying Zhang, Min-Jun An, Organic Electronics . 2009,第7期

机译：空气稳定的，基于双极性异质结的有机发光场效应晶体管的制备和表征
3. Fabrication and characterization of high breakdown voltage AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors on sapphire substrates [J] . Choi YC, Pophristic M, Peres B, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures . 2006,第6期

机译：蓝宝石衬底上高击穿电压AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的制备和表征
4. Noise and current-voltage characterization of complementary heterojunction field-effect transistor structures below 8 K [C] . Thomas J. Cunningham, Jet Propulsion Lab., Pasadena, Conference on infrared readout electronics . 1992

机译：低于8 K的互补异质结场效应晶体管结构的噪声和电流电压特性
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Design and fabrication of high-performance diamond triple-gate field-effect transistors [O] . Jiangwei Liu, Hirotaka Ohsato, Xi Wang, -1

机译：高性能金刚石三栅场效应晶体管的设计与制造
7. Deep Cryogenic Noise and Electrical Characterization of the Complementary Heterojunction Field-Effect Transistor (CHFET) [O] . Thomas J. Cunningham, Russell C. Gee, Eric R. Fossum, 2014

机译：互补异质结场效应晶体管（CHFET）的深层低温噪声和电特性

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