Field effect transistors; Aluminum; Gallium arsenides; Layers; Molecular beams; Buffers; Substrates; Doping; Modulation; Performance(Engineering); Epitaxial growth; Reprints;
机译:有机缓冲层对基于C_(6o)有源层的n型有机场效应晶体管性能的影响
机译:栅极长度为0.8 / 0.2μm的特性In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP(0.53> or = x> or = 0.70)调制低温下掺杂的场效应晶体管
机译:通过引入有机缓冲层来增强p型有机场效应晶体管的性能
机译:低温退火超薄CYTOP缓冲层对单晶有机场效应晶体管性能的影响
机译:探索用于制造和表征有机场效应晶体管的新方法,并研究影响OFET性能的因素。
机译:高性能ZnPc薄膜光敏材料有机场效应晶体管:多层电介质的影响系统和薄膜生长结构
机译:高性能Znpc薄膜光敏有机场效应晶体管:多层介质体系和薄膜生长结构的影响
机译:al sub x Ga sub 1-x作为缓冲层对调制掺杂场效应晶体管性能的影响。