机译:栅极长度为0.8 / 0.2μm的特性In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP(0.53> or = x> or = 0.70)调制低温下掺杂的场效应晶体管
机译:具有0.25μm栅极伪晶型In / sub 0.60 / Ga / sub 0.40 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP调制掺杂的场效应晶体管的单片集成平面前端光接收器
机译:在X和R波段对In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP调制掺杂的场效应晶体管振荡器进行单片光学调谐
机译:拟态In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As调制掺杂的场效应晶体管的低温微波特性
机译:具有自对准门的0.2 / spl mu / m无盖InP / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As亚阈值特性
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:IN0.53GA0.47AS / AL0.48IN0.52AS的抗冲电离特性的工程在INP衬底上的超廓图雪崩光电二极管
机译:栅极长度为0.8和0.2微米的特性In(x)Ga(1-x)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp(0.53小于或等于x小于或等于0.70)调制 - 在低温下掺杂的场效应晶体管