Ionizing radiation; Mosfet semiconductors; N type semiconductors; Bias; Channels; Dosage; Electric current; Electrical properties; Ionization; Irradiation; Leakage(Electrical); Radiation; Shifting; Substrates; Threshold effects; Voltage; Width; Zone melting; Fabrication;
机译:在均质生长的3C-SiC膜上制造的N沟道MOSFET
机译:使用FIPOS技术制造的n沟道MOSFET的总剂量辐射特性
机译:N沟道MOSFET的80meV碳和80meV氮离子辐照效应分析
机译:在区域熔化再结晶的多晶硅膜中制造的MOSFET中应力增强的迁移率
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:深度紫外线透明导电MWCNT / SiO2复合薄膜通过UV照射在环境温度下在旋涂的分子前体膜上制造
机译:电离辐射对siO2区熔融 - 再结晶硅薄膜制备n沟道mOsFET的影响。