公开/公告号CN102184964B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-20
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201110122219.5
申请日2011-05-12
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:13:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-26
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20181009 变更前: 变更后: 申请日:20110512
专利申请权、专利权的转移
2018-10-26
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20181009 变更前: 变更后: 申请日:20110512
专利申请权、专利权的转移
2013-03-20
授权
授权
2013-03-20
授权
授权
2011-11-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20110512
实质审查的生效
2011-11-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110512
实质审查的生效
2011-09-14
公开
公开
2011-09-14
公开
公开
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机译: 具有n沟道型MOS晶体管的半导体器件,该n沟道型MOS晶体管的栅极电极层具有小的平均多晶硅晶粒尺寸
机译: 具有n沟道型MOS晶体管的半导体器件,该n沟道型MOS晶体管的栅极电极层具有小的平均多晶硅晶粒尺寸
机译: 形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路