机译:n沟道增强型6H-SiC MOSFET的详细研究
机译:氮注入改善N沟道增强4H-SiC MOSFET性能的研究
机译:n沟道MOSFET中度反转中随机电报信号分析的横向陷阱位置研究
机译:对SOI n沟道LD-MOSFET的退化机理的系统研究
机译:通过伽马射线辐照减少n型6H-SiC MOSFET中的界面陷阱并提高沟道迁移率
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:采用N2O生长栅极电介质的n沟道mOsFET增强了断态漏电流