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在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型MISHEMT

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本发明描述了一种在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型(E型)金属绝缘体半导体(MIS)高电子迁移率晶体管(HEMT)或EMISHEMT。在栅极区域下方具有GaN沟道再生的EMISHEMT为常关器件提供适当高且稳定的阈值电压，同时提供低栅极泄漏电流。沟道层提供2DEG和相关联的低导通电阻，同时沟道材料层延伸穿过蚀刻的凹陷部并进入该沟道层中并局部中断2DEG以实现常关操作。

著录项

公开/公告号CN113078212A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人半导体元件工业有限责任公司;
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申请/专利号CN202011483584.4
发明设计人 P·莫恩斯;P·范米尔贝克;A·巴纳尔吉;M·塔克;
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申请日2020-12-16
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人秦晨
地址美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 11:44:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/778 专利申请号:2020114835844 申请公布日:20210706

发明专利申请公布后的视为撤回

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专利
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