机译:具有带有p或n沟道晶体管的场截止层的半导体组件的晶体管栅极布置为使栅极之间存在电势,空间电荷区区域的边界部分使电流流过场截止层
公开/公告号DE10334797B3
专利类型
公开/公告日2005-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2003134797
发明设计人 PFIRSCH FRANK;
申请日2003-07-30
分类号H01L29/70;H01L29/06;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:01:20