具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管

摘要

本申请涉及具有在栅极流道层之下的源极场板的晶体管。一种晶体管器件(100)包含从源极接触层(132)延伸并在栅极金属层(123)上方限定开口(133)的场板(133)。与源极接触层共面，场板靠近沟道区域(124)定位，这有助于降低它的寄生电容。同时，开口允许场板上方的栅极流道层(104)接近并连接到栅极金属层，这有助于减小栅极结构的电阻。通过竖直地重叠金属栅极层、场板和栅极流道层，晶体管器件可以实现快速开关性能而不会造成任何尺寸损失。