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程哲;
中国电子学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 异面栅极结构; 导通电流性能;
机译:通过表面蚀刻方法降低P-GaN栅极高电子迁移率晶体管的反向栅极漏电流
机译:一种新颖的双偏置注入源极/漏极技术,可通过0.12- / splμm/ m单栅极低功耗SRAM器件来减少栅极感应的漏极泄漏
机译:GaN-on-Si高电子迁移率晶体管具有5μm栅极-漏极间距的出色稳定性,该栅极漏极间距在200 V和200℃的创纪录漏极电压下在截止状态下进行了测试
机译:通过使用近距离和拉出源/漏极测试结构分析MOS栅极源/漏电电容栅极空间依赖性的栅极空间依赖性
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:缩回:源极和漏电电极上具有次级栅极的有机单晶晶体管E-J。冲浪。 SCI。纳米技术。卷。 6,pp。138-141(2008)
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:功率半导体模块,具有覆盖芯片上侧和边缘侧的绝缘层,以及在释放芯片的源极和栅极接触表面以及源极和栅极外部触点上的触点端子表面之下的内部壳体部分
机译:具有垂直栅极结构的垂直晶体管,该垂直栅极结构具有顶表面或顶表面,该顶表面或顶表面限定在垂直源极和垂直漏极之间形成的小平面
机译:源极/漏极和栅极用不同厚度和不同材料的硅化物形成场效应晶体管的方法
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