对源极/漏极延伸区、晕环袋和栅极电介质厚度具有不同组态的类极性场效应晶体管的结构和制造

摘要

本发明提供一组高性能类极性绝缘栅场效应晶体管(100、108、112、116、120和124，或102、110、114、118、122和126)，该些类极性绝缘栅场效应晶体管具有适用于半导体制造平台的可选择不同组态的横向源极/漏极延伸区、晕环袋部和栅极电介质厚度，该半导体制造平台提供用于模拟应用和/或数字应用的各式各样的晶体管。每一个晶体管均有源极/漏极区带一对、栅极介电层以及栅极电极。每一个源极/漏极区带均包含主要部分及掺杂程度较轻的横向延伸区。该些晶体管其中一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区的掺杂程度重于该些晶体管中另一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区；和/或该些晶体管其中一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区相较于该些晶体管中另一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区延伸在该上半导体表面下方比较不深的地方。