法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-12
授权
授权
2018-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20171121
实质审查的生效
2018-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20171121
实质审查的生效
2018-03-23
公开
公开
2018-03-23
公开
公开
2018-03-23
公开
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机译: CMOS源极/漏极扩展方法,其中PMOS注入与栅极之间由多氧化物和帽氧化物隔开
机译: 一种制备具有mos的cmos组件的方法-降低漏极和源极区的晶体管,将si / ge材料注入pmos晶体管的漏极和源极区
机译: MOS功率晶体管具有一个或多个栅极区域,每个栅极区域位于源极与漏极或体节点区域之间;每个体节点区与一个或多个源电极区分开布置