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机译:用于0.18μmpMOSFET的BF3等离子体掺杂的栅极/源极/漏极的特性
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机译:具有超薄EOT HfO 2 sub> / AlO
机译:对凹入式e-SiGe源极/漏极进行工艺优化,以增强22 nm全高k /金属栅pMOSFET的性能
机译:具有PDERSI源极和排水的闸门 - 第一肖特基屏障PMOSFET的低温制造
机译:低于100nm CMOS和低于70nm完全自对准双栅极CMOS的钨/硅锗/硅凸起单源/漏极的设计,制造和表征
机译:具有InAs / Si异质结和源极口袋结构的双栅隧道FET的漏极电流模型
机译:具有高GE分数的高性能PMOSFET应变SiGE-异质结构 - 通过选择性B掺杂SiGE CVD形成的超肺源/漏极
机译:栅极漏极几何对Gaas mEsFET电流电压特性的影响。