Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, USA;
机译:具有通过原子层沉积生长的HfO_2栅介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管中界面态的表征
机译:结合等离子体增强原子层沉积栅极电介质和原位SiN覆盖层,可降低200mm Si衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压漂移和动态导通电阻色散
机译:具有原子层沉积(ALD)HfAlO高k电介质的AlGaN / GaN功率器件的高温器件传输性能和关态特性的改善
机译:具有高k Hfalo栅极介电层的原子层沉积(ALD)的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能提高
机译:Algan / GaN Moshfet使用ALD电介质:性能和可靠性研究
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:通过原子层沉积生长具有氧化物栅极电介质的耗尽型InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管