具有栅极隔离物的增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法

摘要

一种具有自对准的栅极隔离物、栅极金属材料和栅极化合物的增强型GaN器件，及其制备方法。使用单一光掩模对上述各材料进行图案化和进行蚀刻，这可降低制造成本。所述栅极隔离物和所述栅极化合物的界面比介电膜和所述栅极化合物的界面具有更低的泄漏，从而降低栅极泄漏。此外，使用欧姆接触金属层作为场板，以减小朝向漏极触点的掺杂的III‑V栅极化合物拐角处的电场，这导致减小的栅极泄漏电流和改进的栅极可靠性。