一种具有MIS栅极结构的GaN增强型高电子迁移率晶体管

摘要

本实用新型提供了一种具有MIS栅极结构的GaN增强型高电子迁移率晶体管。所述晶体管具有自对准MIS栅极结构，即p‑GaN层、栅介质层和栅电极层具有相同的宽度，能够增强栅极对沟道的控制，减小沟道电阻，提高输出电流。所述晶体管还包括形成于栅介质层的上表面的钝化层，所述钝化层覆盖在整个AlGaN势垒层的上表面，并延伸至GaN沟道层、欧姆电极和MIS栅极结构外周，以实现对器件表面电荷的中和，提升器件在实际工作中的可靠性及稳定性。