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2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
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1.
An advanced RF-CV method as a powerful characterization tool for the description of HC induced defect generation at microscopic level
机译:
先进的RF-CV方法作为强大的表征工具,可从微观层面描述HC诱发的缺陷生成
作者:
Negre L.
;
Roy D.
;
Scheer P.
;
Gloria D.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
2.
The effect of fluorine implant on NBTI behaviour in BCD-processes
机译:
氟注入对BCD工艺中NBTI行为的影响
作者:
Olthof Edgar
;
Combrie Martin
;
van Marwijk Leo
;
Claes Jan
;
Dubois Jerome
;
Thillaigovindan Jayaraj
;
Sun Jianhua
;
Ng William
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
3.
TDDB characterization of BST capacitors exhibiting bimodal Weibull distributions
机译:
表现出双峰Weibull分布的BST电容器的TDDB表征
作者:
Lin H.
;
Bouyssou E.
;
Ventura L.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
4.
Generation of single-and double-charge electron traps in tunnel oxide of flash memory cells under Fowler-Nordheim stress
机译:
在Fowler-Nordheim应力下的闪存单元隧道氧化物中产生单电荷和双电荷电子陷阱
作者:
Tkachev Yuri
;
Kotov Alexander
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
5.
Impact of gate length and gate oxide thickness on the relationship of FN-stress induced degradation parameters
机译:
栅极长度和栅极氧化物厚度对FN应力引起的退化参数之间关系的影响
作者:
Kang Y. H.
;
Lee C. W.
;
Kim H. U.
;
Ryu Y. K.
;
Kim H. S.
;
Jung T. S.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
6.
Product dielectric reliability
机译:
产品介电可靠性
作者:
Lee J. K. Jerry
;
Pai S. Y.
;
Chang K. P.
;
Hsu Nan-Feng
;
Juan Alex
;
Su K. C.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
7.
Joule heating temperature prediction for inductor
机译:
电感的焦耳加热温度预测
作者:
Siegert Laurent
;
Fiannaca Guillaume
;
Gautier Gael
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
8.
TCAD analysis of breakdown during voltage sweep in a carbon nanofiber (CNF) interconnect
机译:
TCAD分析碳纳米纤维(CNF)互连中的电压扫描期间的击穿
作者:
Brunton J.
;
Yamada T.
;
Weatherford T.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
9.
Observation of negative bias temperature instabilities in parasitic p-channel MOSFETs occurring during high-temperature reverse-bias stressing of trench-gated n-channel MOSFETs
机译:
观察沟槽门控n沟道MOSFET的高温反向偏置应力期间发生的寄生p沟道MOSFET的负偏置温度不稳定性
作者:
Hao Jifa
;
Rioux Mark
;
Awadelkarim Osama O.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
10.
Experimental characterization of the interactions between HCI, off-state and BTI degradation modes
机译:
HCI,断态和BTI降解模式之间相互作用的实验表征
作者:
Federspiel X.
;
Cacho F.
;
Roy D.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
11.
High endurance performance of 1T1R HfO
x
based RRAM at low (<20μA) operative current and elevated (150°C) temperature
机译:
基于1T1R HfO
x inf>的RRAM在低(<20μA)的工作电流和高温(150°C)的情况下具有高耐力性能
作者:
Butcher B.
;
Koveshnikov S.
;
Gilmer D. C.
;
Bersuker G.
;
Sung M. G.
;
Kalantarian A.
;
Park C.
;
Geer R.
;
Nishi Y.
;
Kirsch P. D.
;
Jammy R.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
12.
Trapp workshop founding
机译:
特拉普车间成立
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
13.
Scaling to the final frontier: Reliability challenges in sub 20 nm technologies
机译:
扩展到最前沿:低于20 nm技术的可靠性挑战
作者:
Nigam Tanya
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
14.
On the microscopic limit of the reaction-diffusion model for the negative bias temperature instability
机译:
负偏压温度不稳定性的反应扩散模型的微观极限
作者:
Schanovsky Franz
;
Grasser Tibor
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
15.
Technology variability and product design implications
机译:
技术可变性和产品设计含义
作者:
Fried David M.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
16.
Modeling of DCIV recombination currents using a multistate multiphonon model
机译:
使用多态多声子模型对DCIV重组电流建模
作者:
Bina M.
;
Aichinger Th.
;
Pobegen G.
;
Gos W.
;
Grasser T.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
17.
Recent trends in CMOS reliability: From individual traps to circuit simulations
机译:
CMOS可靠性的最新趋势:从单个陷阱到电路仿真
作者:
Kaczer B.
;
Toledano-Luque M.
;
Franco J.
;
Grasser T.
;
Roussel J.
;
Camargo V. V. A.
;
Mahato S.
;
Simoen E.
;
Catthoor F.
;
Wirth G. I.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
18.
When does a circuit really fail?
机译:
电路何时真正失效?
作者:
Ryan J. T.
;
Wei L.
;
Campbell J. P.
;
Southwick R. G.
;
Cheung K. P.
;
Oates A. S.
;
Wong H.-S. P.
;
Suehle J.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
19.
Reliability and degradation mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMTs under RF stress conditions
机译:
射频应力条件下0.25 µm AlGaN / GaN HEMT的可靠性和降解机理
作者:
Dammann M.
;
Baeumler M.
;
Gutle F.
;
Casar M.
;
Walcher H.
;
Waltereit P.
;
Bronner W.
;
Muller S.
;
Kiefer R.
;
Quay R.
;
Mikulla M.
;
Ambacher O.
;
Graff A.
;
Altmann F.
;
Simon M.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
20.
User verify and disturb mechanisms in a 65nm flash FPGA
机译:
65nm闪存FPGA中的用户验证和干扰机制
作者:
Jia James Yingbo
;
Singaraju Pavan
;
Dhaoui Fethi
;
Newell Rich
;
Liu Patty
;
Micael Habtom
;
Traas Michael
;
Sammie Salim
;
Wang J. J.
;
Hawley Frank
;
McCollum John
;
den Abeelen Werner Van
;
Hamdy Esmat
;
Hu Chenming
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
21.
Hot-carrier and recovery effect on p-channel lateral DMOS
机译:
热载流子和恢复对p沟道横向DMOS的影响
作者:
Aresu S.
;
Vollertsen R.-P.
;
Rudolf R.
;
Schlunder C.
;
Reisinger H.
;
Gustin W.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
22.
Hot Carrier Injection degradation induced dispersion: Model and circuit-level measurement
机译:
热载流子降解引起的色散:模型和电路级测量
作者:
Cacho F.
;
Singh S. K.
;
Singh B.
;
Parthasarathy C.
;
Pion E.
;
Argoud F.
;
Federspiel X.
;
Pitolet H.
;
Roy D.
;
Huard V.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
23.
Spin dependent charge pumping: A new tool for reliability studies
机译:
自旋相关电荷泵:可靠性研究的新工具
作者:
Bittel B. C.
;
Lenahan P. M.
;
Ryan J. T.
;
Fronheiser J.
;
Lelis A. J.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
24.
Separating NBTI and PBTI effects on the degradation of Ring Oscillator frequency
机译:
分离NBTI和PBTI对环形振荡器频率降低的影响
作者:
Linder Barry P.
;
Kim Jae-Joon
;
Rao Rahul
;
Jenkins Keith
;
Bansal Aditya
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
25.
On the PBTI degradation of pMOSFETs and its impact on IC lifetime
机译:
关于pMOSFET的PBTI退化及其对IC寿命的影响
作者:
Schlunder Christian
;
Reisinger Hans
;
Aresu Stefano
;
Gustin Wolfgang
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
26.
Cryogenic to room temperature effects of NBTI in high-k PMOS devices
机译:
高k PMOS器件中NBTI的低温至室温效应
作者:
Southwick Richard G.
;
Purnell Shem T.
;
Rapp Blake A.
;
Thompson Ryan J.
;
Pugmire Shane K.
;
Kaczer Ben
;
Grasser Tibor
;
Knowlton William B.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
27.
Tutorials
机译:
讲解
作者:
Bauza Daniel
;
Ishihara Ryoichi
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
28.
Experimentally based methodology for charge pumping bulk defect trapping correction
机译:
基于实验的电荷泵体缺陷俘获校正方法
作者:
Ryan J. T.
;
Southwick R. G.
;
Campbell J. P.
;
Cheung K. P.
;
Young C. D.
;
Suehle J. S.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
29.
Reliability analysis of enhancement-mode GaN MIS-HEMT with gate-recess structure for power supplies
机译:
具有栅极凹槽结构的增强型GaN MIS-HEMT的电源可靠性分析
作者:
Imada T.
;
Motoyoshi K.
;
Kanamura M.
;
Kikkawa T.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
30.
Electron paramagnetic resonance studies of interlayer dielectrics
机译:
层间电介质的电子顺磁共振研究
作者:
Bittel B. C.
;
Pomorski T. A.
;
Lenahan P. M.
;
King S.
;
Mays E.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
31.
Constant voltage electromigration testing
机译:
恒压电迁移测试
作者:
Lloyd J. R.
;
Connelly N.
;
Zhang Z.
;
Rizzolo M.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
32.
Effects of current density on electromigration resistance trace analysis
机译:
电流密度对电迁移电阻迹线分析的影响
作者:
Bana F.
;
Arnaud L.
;
Ney D.
;
Galand R.
;
Wouters Y.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
33.
Reliability degradation of MOS transistors originated from plasma process-induced charging of circuit blocks and detected with fWLR methods
机译:
MOS晶体管的可靠性降低源自于等离子体处理引起的电路块充电,并通过fWLR方法检测到
作者:
Martin Andreas
;
Wagner Cajetan
;
Koten Andreas
;
Schwerd Markus
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
34.
Effects of pre-stress on hot-carrier degradation of N-channel MOSFETs
机译:
预应力对N沟道MOSFET热载流子退化的影响
作者:
Kopley T. E.
;
OConnell B.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
35.
Inline process characterization and control for robust BEOL reliability
机译:
在线过程表征和控制,确保强大的BEOL可靠性
作者:
Ee Y. C.
;
Ng W. L.
;
Tan J. B.
;
Zhang F.
;
Shao W.
;
Chua J. K.
;
Li H. X.
;
Lin B. F.
;
Ng C. W.
;
Ramanathan E.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
36.
TCAD-based failure analysis and modeling of pit formation in GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT中基于TCAD的失效分析和凹坑形成建模
作者:
Seigenthaler T.
;
Weatherford T.
;
Porter M.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
37.
A practical approach to modeling product performance degradation and assigning lifetime reliability guard band
机译:
建模产品性能下降并分配寿命可靠性保护带的实用方法
作者:
Shah Vishal N.
;
Tan Yah-Leng
;
Wong Stephen
;
Rodes Thomas
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
38.
On-chip circuit for massively parallel BTI characterization
机译:
大规模并行BTI表征的片上电路
作者:
da Silva M. B.
;
Kaczer B.
;
Van der Plas G.
;
Wirth G. I.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
39.
Impact of STI stress on hot carrier degradation in 5V NMOSFET
机译:
STI应力对5V NMOSFET中热载流子退化的影响
作者:
Jiang Hao
;
Yap Hin Kiong
;
Pandey Shesh Mani
;
Park Jae Soo
;
Lim James
;
Zeng Xu
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
40.
A new degradation mechanism of gate oxide reliability due to 'extrinsic' responses of Qbd along rough 'bird''s-beak' frontline
机译:
Qbd沿“鸟嘴”粗糙前线的“外在”响应而引起的栅极氧化物可靠性的新退化机制
作者:
Sheng Lieyi
;
Gerlach Jeff
;
Glines Eddie
会议名称:
《2011 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report》
|
2011年
关键词:
"bird''s-beak";
Gate oxide reliability;
degradation mechanism;
fontline roughness;
intrinsic and "extrinsic" Qbd;
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