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一种具有槽栅调制结构的半极性GaN基增强型高电子迁移率晶体管

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摘要

本发明公开了一种具有槽栅调制结构的半极性GaN基增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)，由下至上包括：衬底、AlN成核层、半极性Al

1. 一种具有槽栅调制结构的半极性GaN基增强型高电子迁移率晶体管 [P] . 中国专利： CN110299408A . 2019-10-01
2. 一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构 [P] . 中国专利： CN110767747A . 2020-02-07
3. GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) with an embedded gate electrode having a first recess portion and a second recess portion to improve drain breakdown voltage [P] . 美国专利： US8044433B2 . 2011-10-25

机译：具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT），该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
4. Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN [P] . 美国专利： US2011180781A1 . 2011-07-28

机译：通过将半极性或非极性GaN上的蓝色LED与半极性或非极性GaN上的黄色LED结合使用来产生高偏振白光源
5. COPACKING CONFIGURATIONS FOR NONPOLAR GaN AND/OR SEMIPOLAR GaN LEDs [P] . 美国专利： US2010001300A1 . 2010-01-07

机译：非极性GaN和/或半极性GaN LED的封装配置