...
机译:一种新型的效率增强拓扑:具有由肖特基二极管组成的波形调制结构的GaN高电子迁移率晶体管
China Elect Technol Grp Corp, Res Inst 55, Nanjing 211103, Jiangsu, Peoples R China;
GaN high-electron mobility transistor; Schottky diode; power-added efficiency; nonlinearity; waveform modulation;
机译:用肖特基栅极结构研究AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中表面疏水阀诱导的电流塌陷现象
机译:具有Ti / Al / W欧姆和WN(X)肖特基金属结构的无金GaN高电子迁移率晶体管,适用于大功率应用
机译:极化库仑场散射对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中高温电子迁移率的影响
机译:质子辐照的AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管和AlGaN肖特基二极管的电学特性
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:通过原位GaN纳米点形成生长的Au / HVPE a平面GaN模板形成的肖特基二极管的电子传输机制
机译:脱位对AlGaN / GaN肖特基二极管的影响以及高电子迁移率晶体管的栅极故障