机译:通过原位GaN纳米点形成生长的Au / HVPE a平面GaN模板形成的肖特基二极管的电子传输机制
nanodot a-plane GaN HVPE Schottky diodes;
机译:形成原位HVPE A-Plane GaN纳米液体:对飞机GaN模板的结构性质的影响
机译:HVPE GaN衬底上具有HVPE生长的漂移层的GaN功率肖特基二极管的IVT测量
机译:HVPE在r面蓝宝石上生长的a面GaN模板中深陷阱能级的电子态
机译:氢化物气相外延生长的平面GaN薄膜脱位和堆垛机构的机制
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:HVPE在r面蓝宝石上生长的a面GaN模板中深陷阱能级的电子状态
机译:(Ni / Au)-AlN / GaN肖特基势垒二极管中的电流传输机制和陷阱态研究