P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

牟维兵; 徐曦

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通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系.

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来源
《强激光与粒子束》 |2005年第2期|309-312|共4页
作者
牟维兵; 徐曦;
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作者单位

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
场效应管; 吸收剂量; 阈电压;

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