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张进山;
江苏省南京化工技师学院电气自动化教研室,江苏南京,210048;
场效应管; 应用电路; 设计;
机译:室温制作的非晶p型栅极的基于ZnO的n沟道结型场效应晶体管
机译:P / N沟道结型场效应晶体管上的/ spl伽马射线/射线引起的噪声衰减
机译:结型晶体管中的雪崩载流子倍增及其对电路设计的影响
机译:低能引起的Si-SiO 2 sub>界面陷阱的性质n沟道氮化物中Ar + sup>背面轰击场效应管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:野生型和突变型场效应管家族蛋白的RNa目标
机译:集成电路设计紧凑型造型SiGe异质结双极晶体管的研究。
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。
机译:N沟道-场效应管的增加型
机译:具有N沟道沟道结型场效应晶体管的半导体结构的制造
机译:使用CMOS或双极/ CMOS的N沟道和P沟道结型场效应晶体管及其制造方法
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