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【2h】

A Compact Trench-Assisted Space-Modulated JTE Design for High-Voltage 4H-SiC Devices

机译：用于高压4H-SIC器件的紧凑型沟槽辅助空间调制JTE设计

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T. Dai; L. Zhang; O. Vavasour; A. B. Renz; V. A. Shah; M. Antoniou; P. A. Mawby; P. M. Gammon;
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年度 2021
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1. A Compact Trench-Assisted Space-Modulated JTE Design for High-Voltage 4H-SiC Devices [J] . Dai T., Zhang L., Vavasour O., IEEE Transactions on Electron Devices . 2021,第3期

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