硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层

摘要

区熔再结晶SOI的防气化多层结构，是一种防止SOI硅薄膜在区熔再结晶过程中覆盖层失效的新结构。它采用在硅与二氧化硅之间增加隔离层的方法，形成多层结构，抑制熔融硅与二氧化硅之间产生气化反应。本发明不仅能防止覆盖层的失效，而且可以降低对于区熔再结晶过程中的温度控制精度的要求。它能通过区熔再结晶方法在绝缘层上获得平坦而连续的硅薄膜。