Semiconductor devices; Solid state electronics; Ion implantation; Heterojunctions; Layers; Annealing; Laser beams; Electron beams; Resonance scattering; Electron transfer; Silicon; Amorphous materials; Gallium arsenides; Boron;
机译:微米和亚微米银粉在前电极浆料中的质量比对晶体硅太阳能电池电气性能的影响
机译:缓冲层结构对用于隔离亚微米硅器件的多晶硅缓冲液LOCOS的影响
机译:用于超低功耗模拟/混合信号应用的口袋注入式绝缘体上硅CMOS器件和电路的亚阈值性能
机译:硅散装缺陷对深亚微米设计规则DRAM设备的影响
机译:扩展缺陷的特征及其对4H碳化硅装置性能的影响。
机译:硅纳米线中植入和退火的砷原子的离散分布及其对器件性能的影响
机译:富碳硅(Si1-yCy)用于固相外延激活的器件中离子注入损伤的缺陷工程
机译:硅中的离子注入缺陷和微米和亚微米器件的性能。