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陈长春; 余本海; 刘江峰; 刘志弘; 钱佩信;
河南信阳师范学院物理电子工程学院;
清华大学微电子学研究所;
SiGe; 应变硅; CMOS器件;
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:Ge /应变Si CMOS器件的超薄Si1?x sub> Ge x sub>位错阻挡层
机译:Ge /应变Si CMOS器件的超薄Si_(1-x)Ge_(x)位错阻挡层
机译:Si / Si_(0.64)GE_(0.36)/ SI PMOSFET中增强的速度过冲和跨导 - 深度亚微米器件的预测
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机译:器件隔离形成后利用SI的选择性滴定沉积制造应变的SI CMOS结构的方法。
机译:器件隔离形成后利用Si的选择性滴定沉积制备应变Si CMOS结构的方法。
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