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【2h】

Carbon rich silicon (Si1-yCy)for defect engineering of ion implantation damage in devices activated by solid phase epitaxy

机译：富碳硅（Si1-yCy）用于固相外延激活的器件中离子注入损伤的缺陷工程

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TAN CHUNG FOONG;
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年度 2007
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