Optical properties; Gallium arsenides; Etching; Emission spectroscopy; Indiumphosphides; Argon; Chlorine; Mass spectrometry; Control; Emission; Metals; Sources; Reprints; Optics; Real time; Plasmas(Physics); Surfaces; Flow rate; Vertical orientation; Sign;
机译:C掺杂基础lnGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体蚀刻制备:CH↓(4)/ H↓(2)/ Ar与BCl↓(3)/ N↓(2)等离子体蚀刻化学的比较
机译:C掺杂的基础InGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体刻蚀制备f比较CH_4 / H_2 / Ar与BCl_3 / N_2等离子体刻蚀化学
机译:Cl2 / CH4 / Ar电感耦合等离子体刻蚀的光电器件的深InP光栅
机译:通过光发射光谱和质谱监测侧壁间隔蚀刻和质谱
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:电感耦合AR / CL2等离子体蚀刻中具有GaN蚀刻速率的光发射和离子磁通的相关性
机译:在Cl(sub 2)/ ar,Cl(sub 2)/ N(sub 2),BCl(sub 3)/ ar和BCl(sub 3)/ N(sub)中对Gap,Gaas,Inp和InGaas进行ECR蚀刻2)