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(lll)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

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摘要

(Ⅲ)InP衬底的生长工艺受到人们的广泛关注.相比于(100)InP,(Ⅲ)衬底上生长的多重子阱激光器具有更低的阈值电流、更强的量子限制Stark效应和更大的内建压电场引起的非线性效应.

著录项

来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|47-48|共2页
会议地点牡丹江
作者
刘瑞东; 于丽娟; 芦秀玲; 张福甲; 黄永箴;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
MOCVD; 金属有机化学气相淀积; 多量子阱激光器; (Ⅲ)A InP衬底; 表面形貌; 光学特性;

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