机译:C掺杂的基础InGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体刻蚀制备f比较CH_4 / H_2 / Ar与BCl_3 / N_2等离子体刻蚀化学
C-doped DHBT structures; electron cyclotron resonance (ECR)plasma etch; InGaAs/InP;
机译:C掺杂基础lnGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体蚀刻制备:CH↓(4)/ H↓(2)/ Ar与BCl↓(3)/ N↓(2)等离子体蚀刻化学的比较
机译:CH_4 / H_2和H_2 ECR等离子体中蚀刻的HgCdTe的反应化学及所得表面结构
机译:通过优化的Cl_2 / Ar / N_2化学感应耦合等离子体刻蚀技术,制备InP / InGaAsP / AlGaInAs量子阱异质结构中的亚微米尺寸特征
机译:新型C掺杂基材的新型高速电路应用中的C掺杂基地/ INP DHBT结构
机译:用于电子材料蚀刻的高密度电子回旋共振和感应耦合等离子体源的比较:电子材料的新等离子体蚀刻方案。
机译:正常和异常血小板的质膜和其他结构的冷冻蚀刻观察
机译:微波测量CH_4 / H_2 / N_2等离子体增强化学气相沉积过程中氮掺杂金刚石薄膜的椭偏研究
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理