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【2h】

Correlation of Optical Emission and Ion Flux with GaN Etch Rate in Inductively Coupled Ar/Cl2 Plasma Etching

机译：电感耦合AR / CL2等离子体蚀刻中具有GaN蚀刻速率的光发射和离子磁通的相关性

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S.A. Rizvi; P.D. Maguire; C.M.O. Mahony; O.A. Okpalugo; C.S. Corr; W.G. Graham; S.M. Morley;
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年度 2003
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