机译:GE掺杂锡型益型缺陷的形成与退火的特性
Institute of Physics NAS of Ukraine Prospekt Nauki 46 03028 Kiev Ukraine;
Institute of Physics NAS of Ukraine Prospekt Nauki 46 03028 Kiev Ukraine;
Institute of Physics NAS of Ukraine Prospekt Nauki 46 03028 Kiev Ukraine;
Leibniz Institute for Crystal Growth Rudower Chaussee 6 12489 Berlin Germany;
Leibniz Institute for Crystal Growth Rudower Chaussee 6 12489 Berlin Germany;
Germanium; Oxygen; Radiation defects; Tin;
机译:GE掺杂锡型益型缺陷的形成与退火的特性
机译:锡掺杂硅中空位相关缺陷形成的特殊性
机译:掺锡p型锗晶体中辐射缺陷的形成和退火
机译:掺锡锗中VO相关缺陷的形成和退火的特殊性
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:通过使用构象空间退火方法的生成复制品交换贮存构
机译:退火和体积加氢对氮掺杂浮区硅寿命限制缺陷的影响
机译:在高压下退火氮掺杂的Znse:抑制天然缺陷形成