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机译:缓冲陷阱相关膝关节罢工和自加热中的影响在Algan / GaN Hemts中
Swansea Univ Coll Engn Nanoelect Devices Computat NanoDeCo Grp Bay Campus Swansea SA1 8EN W Glam Wales;
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机译:缓冲陷阱相关膝关节罢工和自加热中的影响在Algan / GaN Hemts中
机译:无意识掺杂的GaN缓冲层中陷阱水平对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT中无意识掺杂的GaN缓冲层中的陷阱引起的负跨导效应
机译:GaN HEMT中缓冲俘获对膝盖罢工的影响
机译:GaN HEMT中的自热效应研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:缓冲陷阱相关的膝关节走动和alGaN / GaN HEmT中自加热的影响