退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN103904113B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201410025458.2
发明设计人 冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;郝跃;
申请日2014-01-20
分类号
代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司;
代理人董芙蓉
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:56:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20140120
实质审查的生效
2014-07-02
公开
机译: 增强型和耗尽型AlGaN / GaN HFET的单片集成
机译: 兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:具有结型场板的高Baliga质量因数常关型P-GaN栅极AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的仿真设计
机译:场板长度变化的场镀0.25- / splμ/ m栅长AlGaN / GaN HEMT
机译:极化库仑场散射对耗尽型AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中亚阈值摆幅的影响
机译:使用基于物理的紧凑模型对场板增强型AlGaN / GaN HEMT器件进行改进的电荷建模
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:场板对AlGaN / GaN HEMT器件的RF性能的影响
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。