IR studies on VO_n, C_iO_i, and C _iC_s defects in Ge-doped Cz-Si

Londos C.A.; Sgourou E.N.; Andrianakis A.; Misiuk A.; Emtsev V.V.; Ohyama H.

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IR studies on VO_n, C_iO_i, and C _iC_s defects in Ge-doped Cz-Si

机译：锗掺杂Cz-Si中VO_n，C_iO_i和C _iC_s缺陷的IR研究

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This paper reports experimental results on the production and annealing of oxygen-vacancy related (VO_n, 1

机译：本文报告了在掺Ge的切克劳斯基生长的硅（Cz- Si）含碳材料。用2 MeV快速电子辐照样品，并通过红外（IR）光谱学研究辐射产生的缺陷的行为，监测光谱中的相关谱带。关于VO_n族，发现Ge的存在影响VO缺陷的退火温度以及其转变为VO_2缺陷的分数。讨论了这两种效应与Ge对通过两个反应路径VO + I→O_i和VO + O _i→VO_2参与VO缺陷退火的自填隙物浓度的影响有关。此外，尽管据认为VO_5缺陷是1037和1051 cm〜（-1）处的两个谱带，但另外762、967和1005 cm〜（-1）处的其他三个谱带也与含碳的V_nO_m团簇有关。具有VO_nC_s结构。关于碳相关的配合物，已经确定，属于C_iO_i缺陷的862 cm〜（-1）谱带的退火伴随着先前分配给C _sO_（ 2i）中心。监测C_iC _s和C_iO_iI谱带的演变，并讨论了在退火C_iC _s和C_iO_iI缺陷的温度范围内在947、967和1020 cm〜（-1）处的谱带的识别，使其在红外光谱中出现。

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来源
《Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena》 |2011年第null期|共7页
作者
Londos C.A.; Sgourou E.N.; Andrianakis A.; Misiuk A.; Emtsev V.V.; Ohyama H.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类半导体物理学;
关键词
Electron irradiation; Ge-doped Si; IR spectroscopy; Point defects;

机译：电子辐照掺锗硅红外光谱点缺陷;

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