减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法

摘要

本发明提出了一种减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法，包括：a.在半导体基板上的源极区或漏极区的凹槽中沉积锗硅膜层，其中所述锗硅膜层包括基板上沉积的第一锗硅膜层和所述第一锗硅膜层上沉积的第二锗硅膜层，且所述源极区或漏极区的凹槽的侧边具有栅极；b.在上述步骤a所形成的结构的表面上沉积一盖层；以及c.在氯化氢气体的气氛中进行化学烘烤。本发明可以有效消除该外延工艺过程中产生的不期望的球状锗硅缺陷，提高产品良率和生产效率。