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掺锗直拉硅中锗对辐照缺陷的影响

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掺锗直拉硅的晶格结构中，锗产生扩张应力场，且易俘获硅中空位形成Ｇｅ－Ｖ复合体。

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来源
《1998年全国半导体硅材料学术会议》|1998年|178-179|共2页
会议地点上海
作者
裴志军;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体生长工艺;
关键词
掺锗;
入库时间 2022-08-17 10:37:51

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