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Annual International Reliability Physics Symposium
Annual International Reliability Physics Symposium
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1.
Time dependent dielectric breakdown at 210 AA oxides
机译:
在210 AA氧化物处的时间依赖性介电击穿
作者:
Boyko K.C.
;
Gerlach D.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
2.
Analysis of aluminum gallium arsenide laser diodes failing due to nonradiative regions behind the facets
机译:
铝镓激光二极管的分析由于小平面后面的非地区区域因子而失效
作者:
Fritz W.J.
;
Bauer L.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
3.
Effects of copper and titanium addition to aluminum interconnects on electro- and stress-migration open circuit failures
机译:
铜和钛加入铝互连的影响电气和应力迁移开路故障
作者:
Hosoda T.
;
Yagi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
4.
On-chip measurement of package related metal shift using an integrated silicon sensor
机译:
使用集成硅传感器的封装相关金属换档的片上测量
作者:
Bossche A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
5.
An investigation of the time dependence of current degradation in MOS devices
机译:
电流降解在MOS装置中的时间依赖性研究
作者:
Rakkhit R.
;
Peckerar M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
6.
Characterization of electromigration under bidirectional (BC) and pulsed unidirectional (PDC) currents
机译:
双向(BC)下电迁移的表征和脉冲单向(PDC)电流
作者:
Maiz J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
7.
Low-voltage hot-electron currents and degradation in deep-submicrometer MOSFETs
机译:
低压热电子电流和深层亚微米测压器MOSFET的降解
作者:
Chung J.
;
Jeng M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
8.
Reliability aspects of laser programmable redundancy: infrared vs. green, polysilicon vs. silicide
机译:
激光可编程冗余的可靠性方面:红外与绿色,多晶硅与硅化物
作者:
Chlipala J.D.
;
Scarfone L.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
9.
The electromigration damage response time and implications for DC and pulsed characterizations
机译:
DC和脉冲表征的电迁移损伤响应时间和含义
作者:
Suehle J.S.
;
Schafft H.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
10.
Stress-driven diffusive voiding of aluminum conductor lines
机译:
铝导线的应力驱动的扩散空隙
作者:
Yost F.G.
;
Amos D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
11.
Improved EPROM moisture performance using spin-on-glass (SOG) for passivation planarization
机译:
使用旋转玻璃(SOG)改善EPROM水分性能进行钝化平面化
作者:
Gaeta I.S.
;
Wu K.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
12.
Interface degradation and dielectric breakdown of thin oxides due to homogeneous charge injection
机译:
由于均匀电荷注入引起的薄氧化物的界面劣化和介电击穿
作者:
Kerber M.
;
Schwalke U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
13.
ESD phenomena in graded junction devices
机译:
分级交叉点装置中的ESD现象
作者:
Duvvury C.
;
Rountree R.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
14.
Angled implant fully overlapped LDD (AI-FOLD) NFETs for performance and reliability
机译:
成角度植入物完全重叠的LDD(AI折叠)NFET用于性能和可靠性
作者:
Bryant A.
;
Furukawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
15.
HAST applications: acceleration factors and results for VLSI components
机译:
Hast应用程序:VLSI组件的加速因子和结果
作者:
Danielson D.
;
Marcyk G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
16.
Effect of mechanical stress for thin SiO/sub 2/ films in TDDB and CCST characteristics
机译:
机械应力对TDDB和CCST特征的薄SiO / sub 2 /薄膜的影响
作者:
Ohno Y.
;
Ohsaki A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
17.
Long term reliability of SiO/sub 2//SiN/SiO/sub 2/ thin layer insulator formed in 9 mu m deep trench on high boron concentrated silicon
机译:
SiO / Sub 2 // Sin / SiO / Sub 2 /薄层绝缘体的长期可靠性在高硼浓缩硅的9μm深沟中形成
作者:
Nishimura A.
;
Murata S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
18.
27th Annual Proceedings. Reliability Physics 1989 (Cat. No.89CH2650-0)
机译:
第27届年度诉讼。可靠性物理1989(猫。No.89Ch2650-0)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
19.
The properties of Al-Cu/Ti films sputter deposited at elevated temperatures and high DC bias
机译:
升高温度和高直流偏压下沉积的Al-Cu / Ti膜溅射的性质
作者:
Hariu T.
;
Watanabe K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
20.
Hot-carrier induced instability of 0.5 mu m CMOS devices patterned using synchrotron X-ray lithography
机译:
使用Synchrotron X射线光刻图案化的热载体诱导的0.5 mu m CMOS器件的不稳定
作者:
Hsu C.C.
;
Wang L.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
21.
Aging effects in GaAs Schottky barrier diodes
机译:
GaAs肖特基障屏障二极管中的老化效果
作者:
Christianson K.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
22.
New applications of focused ion beam technique to failure analysis and process monitoring of VLSI
机译:
聚焦离子束技术对VLSI失效分析及过程监测的新应用
作者:
Nikawa K.
;
Nasu K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
23.
Polarity dependence of thin oxide wearout
机译:
薄氧化物磨损的极性依赖性
作者:
Dumin D.J.
;
Dickerson K.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
24.
Fatigue mechanisms in thin film potassium nitrate memory devices
机译:
薄膜硝酸钾记忆装置中的疲劳机制
作者:
Kulkarni A.K.
;
Rohrer G.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
25.
Electromigration interconnect lifetime under AC and pulse DC stress
机译:
AC和脉冲直流应力下的电迁移互连寿命
作者:
Liew B.K.
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
26.
Hot carrier degradation in p-channel MOSFETs
机译:
P沟道MOSFET中的热载流子降解
作者:
Mittle S.W.
;
Hargrove M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
27.
p-MOSFET gate current and device degradation
机译:
P-MOSFET栅极电流和设备劣化
作者:
Ong T.-C.
;
Seki K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
28.
Internal ESD transients in input protection circuits
机译:
输入保护电路中的内部ESD瞬态
作者:
Fong Y.
;
Hu C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
29.
The effects of minute impurities (H, OH, F) on the SiO/sub 2//Si interface investigated by nuclear resonant reaction and electron spin resonance
机译:
通过核共振反应和电子自旋共振研究的SiO / Sub 2 // Si界面上的微小杂质(H,OH,F)的影响
作者:
Ohji Y.
;
Nishioka Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
30.
A new reliability problem associated with Ar ion sputter cleaning of interconnect vias
机译:
与互连通孔的AR离子溅射清洁相关的新可靠性问题
作者:
Tomioka H.
;
Tanabe S.-i.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
31.
Oxide charge trapping and HCI susceptibility of a submicron CMOS dual-poly (N/sup +//P/sup +/) gate technology
机译:
亚微米CMOS双聚(N / SUP + // P / SUP + /)栅极技术的氧化物电荷捕获和HCI易感性
作者:
Sun S.W.
;
Fu K.-Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
32.
Electrical overstress of nonencapsulated aluminum bond wires
机译:
非封装铝合金电线的电视
作者:
King R.
;
Van Schaick C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
33.
A reliability study of Au-Sn eutectic binding with Ga-As dice
机译:
Au-sn与Ga-as Dice的可靠性研究
作者:
Matijasevic G.S.
;
Lee C.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
34.
Kinetics of hot carrier effects for circuit simulation
机译:
电路仿真热载波效应动力学
作者:
Aur S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
35.
Extensions of the effective thickness theory of oxide breakdown
机译:
氧化氧化物分解有效厚度理论的延伸
作者:
Coleman D.J. Jr.
;
Hunter W.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
36.
Hot-carrier-induced latchup and trapping/detrapping phenomena
机译:
热载体诱导的闩锁和捕获/脱损现象
作者:
Wang C.M.
;
Tzou J.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
37.
Interface state generation due to electron tunneling into thin oxides
机译:
由于电子隧穿成薄氧化物导致的界面状态
作者:
Ozawa Y.
;
Iwase M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
38.
A study of the breakdown testing of thermal silicon oxides and the effects of preoxidation surface treatment
机译:
热硅氧化物击穿试验研究及预氧化表面处理的影响
作者:
Kao D.B.
;
deLarios J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
39.
Electromigration of ionized cluster beam deposited aluminum metallizations
机译:
电离簇束的电迁移沉积铝金属化
作者:
Hummel R.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
40.
The impact of wafer back surface finish on chip strength
机译:
晶圆背面饰面对芯片强度的影响
作者:
Lim T.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1989年
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