机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:极性相关的热化学E模型,用于描述具有超薄栅极电介质的金属氧化物半导体器件中随时间变化的电介质击穿
机译:先进的互补金属氧化物半导体技术的超低k时间依赖性介电击穿的软击穿特性
机译:210 AA氧化物下随时间变化的介电击穿
机译:VLSI互连可靠性的建模与仿真方法对焦于时间依赖性介电故障
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:基于互补拉曼和FTIR光谱研究的Cu /超低k电介质的时间介电击穿失效机理分析及工艺改进
机译:恒定隧穿电流应力下二氧化硅的时间相关介电击穿